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中国自研光刻机遭批,被指破坏全球芯片产业链,打压再升级?
随着中国自研光刻机技术的不断发展,近年来,国内光刻机企业在芯片制造中崭露头角,并日益受到关注。然而,近日有关光刻机的争议再度引发公众关注。有业内人士指出,中国自研的光刻机虽然成功研制,但却被指破坏了全球芯片产业链,这一说法在业内引起热议。特别是最近一些事件的发生,更是引起了西方国家的警惕,把对中国技术的打压再次升级。中国自研光刻机的争议,究竟是技术之争还是政治之争?这是一个值得深入探讨的问题。
阅读更多干勇:关注半导体材料发展国际趋势
从国际半导体产业发展趋势来看,随着硅半导体材料主导的摩尔定律逐渐走向其物理极限,同时硅也满足不了微波射频、高效功率电子和光电子等新需求快速发展的需要,以化合物半导体材料,特别是第三代半导体为代表的半导体新材料快速崛起,未来10年将对国际半导体产业格局重塑产生至关重要的影响。第三代半导体兴起于上世纪90年代初,以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体材料为代表,具备击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优越性能,是广泛用于信息化社会、人工智能、万物互联、现代农业、现代医疗、智能交通、国防安全等重点领域的关键材料,其发展水平是反映一个国家高技术实力、国防能力和国际竞争力的主要标志之一。
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从国际半导体产业发展趋势来看,随着硅半导体材料主导的摩尔定律逐渐走向其物理极限,同时硅也满足不了微波射频、高效功率电子和光电子等新需求快速发展的需要,以化合物半导体材料,特别是第三代半导体为代表的半导体新材料快速崛起,未来10年将对国际半导体产业格局重塑产生至关重要的影响。第三代半导体兴起于上世纪90年代初,以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体材料为代表,具备击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优越性能,是广泛用于信息化社会、人工智能、万物互联、现代农业、现代医疗、智能交通、国防安全等重点领域的关键材料,其发展水平是反映一个国家高技术实力、国防能力和国际竞争力的主要标志之一。
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